MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Codice RS:: 124-1725
Codice costruttore:: NDT2955
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale Tipo P 60 V, 300 mΩ Miglioramento, 2.5 A, 4 Pin, SOT-223, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 4000 unità*

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Codice RS:: 124-1725
Codice costruttore:: NDT2955
Costruttore:: onsemi

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	onsemi
	Tipo di canale	Tipo P
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	2.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	60V
	Tipo di package	SOT-223
	Serie	NDT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	300mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd	3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	11nC
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	3.56 mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	6.5mm
	Altezza	1.6mm
	Standard automobilistico	No
	Distrelec Product Id	304-65-550

	Seleziona tutto
	Marchio onsemi
	Tipo di canale Tipo P
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 2.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V
	Tipo di package SOT-223
	Serie NDT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 4
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V
	Dissipazione di potenza massima Pd 3W
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11nC
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 3.56 mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 6.5mm
	Altezza 1.6mm
	Standard automobilistico No
	Distrelec Product Id 304-65-550

Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

La gamma di MOSFET a canale P di Semiconductors viene prodotta utilizzando la tecnologia DMOS proprietaria ON Semi ad alta densità di celle. Questo processo ad altissima densità è stato progettato per ridurre al minimo la resistenza allo stato di accensione per fornire prestazioni robuste e affidabili per una commutazione veloce.

Caratteristiche e vantaggi:

• Interruttore piccolo segnale P-Channel a tensione controllata

• Progettazione celle ad alta densità

• Corrente di saturazione elevata

• Commutazione superiore

• Prestazioni robuste e affidabili

• Tecnologia DMOS

Applicazioni:

• Commutazione del carico

• Convertitore DC/DC

• Protezione della batteria

• Controllo della gestione dell'alimentazione

• Comando motore DC

Transistor MOSFET, ON Semi

Su Semi offre una gamma sostanziale di dispositivi MOSFET che includono>< i tipi ad alta tensione ( 250V) e a bassa tensione ( 250V). L'avanzata tecnologia al silicio garantisce uno stampo dalle dimensioni ridotte, incorporato in diversi contenitori di standard industriale e termicamente potenziati.

Sui semi-MOSFET è possibile ottenere un'affidabilità di progettazione superiore, da picchi di tensione ridotti e sovraelongazione, a una capacità di giunzione inferiore e una carica di recupero inversa, fino all'eliminazione di componenti esterni aggiuntivi per mantenere i sistemi operativi più a lungo.