MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 2,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 671-1096
Codice costruttore:: NDT2955
Costruttore:: onsemi

MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 2,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 671-1096
Codice costruttore:: NDT2955
Costruttore:: onsemi

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	P
Corrente massima continuativa di drain	2,5 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	3 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.56mm
Lunghezza	6.5mm
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	11 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET onsemi, canale P, 300 mΩ, 2,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale

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Modalità di miglioramento MOSFET a canale P, on Semiconductor

Caratteristiche e vantaggi:

Applicazioni:

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