MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, 90 mΩ Miglioramento, 12 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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Codice RS:
151-906
Codice costruttore:
STD12NF06LT4
Costruttore:
STMicroelectronics
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Marchio

STMicroelectronics

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

12A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

STripFET II

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

90mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±16 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.5nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Larghezza

6.6 mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è stato progettato specificamente per ridurre al minimo la capacità di ingresso e la carica di gate. Questo rende il dispositivo adatto all'uso come interruttore primario in convertitori DC-DC isolati avanzati ad alta efficienza per applicazioni di telecomunicazione e computer e per applicazioni con requisiti di pilotaggio a bassa carica di gate.

Eccezionale capacità dv/dt

100% testato a valanga

Bassa carica di gate

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