MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 60 V, 16 mΩ Miglioramento, 60 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 920-8802
- Codice costruttore:
- STD60NF06T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
1895,00 €
(IVA esclusa)
2312,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 21 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,758 € | 1.895,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 920-8802
- Codice costruttore:
- STD60NF06T4
- Costruttore:
- STMicroelectronics
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | STMicroelectronics | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 60A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 60V | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 110W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 49nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 6.2 mm | |
| Altezza | 2.4mm | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio STMicroelectronics | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 60A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 60V | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 110W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 49nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 6.2 mm | ||
Altezza 2.4mm | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
STripFET™ II a canale N, STMicroelectronics
I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Transistor MOSFET, STMicroelectronics
Link consigliati
- MOSFET STMicroelectronics 16 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 60 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 70 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 320 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 125 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 85 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 6 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
- MOSFET STMicroelectronics 18 mΩ DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
