MOSFET STMicroelectronics, canale Tipo N 800 V, 16 Ω Miglioramento, 1 A, 3 Pin, TO-252 STD1NK80ZT4

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

787,50 €

(IVA esclusa)

960,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
2500 +0,315 €787,50 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
151-904
Codice costruttore:
STD1NK80ZT4
Costruttore:
STMicroelectronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

STMicroelectronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

1A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

SuperMESH

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.6V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

7.7nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN
Il MOSFET di potenza STMicroelectronics è un dispositivo ad alta tensione con canale N protetto da Zener sviluppato utilizzando la tecnologia SuperMESH, un'ottimizzazione del consolidato PowerMESH. Oltre a una significativa riduzione della resistenza on, questo dispositivo è progettato per garantire un elevato livello di capacità dv/dt per le applicazioni più impegnative.

Carica gate ridotta al minimo

Capacità intrinseca molto bassa

Protezione Zener

Link consigliati