MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-251, Superficie IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Codice RS:
- 222-4709
- Codice costruttore:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,479 € | 11,98 € |
| 125 - 225 | 0,369 € | 9,23 € |
| 250 - 600 | 0,345 € | 8,63 € |
| 625 - 1225 | 0,32 € | 8,00 € |
| 1250 + | 0,297 € | 7,43 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4709
- Codice costruttore:
- IPSA70R1K4P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 22.7W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Altezza | 6.1mm | |
| Larghezza | 2.38 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 22.7W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Altezza 6.1mm | ||
Larghezza 2.38 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il design Infineon di Cool MOS™ è una tecnologia rivoluzionaria per MOSFET di potenza ad alta tensione, progettata in base al principio della super giunzione (SJ) e pioniera di Infineon Technologies. Il più recente Cool MOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.
Convalida prodotto conf. Standard JEDEC
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Diodo di protezione ESD integrato
Eccellente comportamento termico