MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.4 Ω Miglioramento, 4 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante IPS70R1K4P7SAKMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
222-4931
Codice costruttore:
IPS70R1K4P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

IPS70R

Tipo di package

TO-251

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.7nC

Dissipazione di potenza massima Pd

22.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

6.22mm

Lunghezza

6.73mm

Standard automobilistico

No

La Infineon è stata sviluppata per soddisfare le tendenze attuali e soprattutto future nelle topologie flyback. La nuova serie di MOSFET a super giunzione 700V CoolMOS™ P7 soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come i caricabatterie per telefoni cellulari o gli adattatori per notebook offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie a supergiunzione utilizzate oggi. Combinando il feedback dei clienti con oltre 20 anni di esperienza con MOSFET a super giunzione, 700V

Consente la commutazione ad alta velocità

Diodo Zener di protezione integrato

V (GS)th ottimizzato di 3V con tolleranza molto stretta di ±0,5 V.

Portafoglio finemente graduato

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