MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3.9 mΩ Miglioramento, 160 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 10 unità*

9,17 €

(IVA esclusa)

11,19 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 240 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
10 - 400,917 €9,17 €
50 - 900,871 €8,71 €
100 - 2400,835 €8,35 €
250 - 4900,798 €7,98 €
500 +0,744 €7,44 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
830-3394
Codice costruttore:
IRLR8743TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

160A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.9mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

39nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

135W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.39mm

Lunghezza

6.73mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 160 A, dissipazione di potenza massima di 135 W - IRLR8743TRPBF


Questo MOSFET è progettato per applicazioni ad alte prestazioni nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Utilizzando la tecnologia HEXFET, raggiunge una notevole efficienza e affidabilità nella gestione dell'alimentazione. La sua capacità di gestire elevate correnti di scarico continue lo rende adatto a diversi contesti industriali.

Caratteristiche e vantaggi


• Gestisce una corrente di drenaggio continua massima di 160A per prestazioni solide

• Offre una tensione massima di drain-source di 30V per un funzionamento affidabile

• Il basso valore di Rds(on), pari a 3,9mΩ, riduce al minimo le perdite di potenza

• Progettato come transistor in modalità enhancement per migliorare l'efficienza di commutazione

• Le funzionalità di montaggio in superficie consentono una facile integrazione nei progetti di circuito

• Classificato per temperature di esercizio elevate fino a +175°C per una migliore gestione termica

Applicazioni


• Convertitori buck sincroni ad alta frequenza negli alimentatori per computer

• Convertitori DC-DC isolati nei sistemi di telecomunicazione

• Sistemi industriali di gestione e automazione dell'energia

• Dispositivi che richiedono basse tensioni di soglia di gate per una commutazione efficiente

• Diversi dispositivi elettronici che richiedono una soluzione di alimentazione compatta

Qual è l'impatto delle alte temperature sulle sue prestazioni?


Il funzionamento a temperature elevate ne migliora le prestazioni termiche, consentendogli di gestire efficacemente livelli di potenza elevati e di garantire la stabilità in condizioni difficili.

In che modo questa tecnologia migliora l'efficienza dei dispositivi elettronici?


La tecnologia HEXFET riduce significativamente le perdite di potenza grazie alla sua bassa Rds(on), consentendo ai dispositivi di funzionare in modo efficiente con carichi elevati e generando meno calore.

Può essere utilizzato insieme ad altri semiconduttori?


Sì, può essere integrato con altri componenti a semiconduttore in circuiti a segnale misto, migliorando la funzionalità e le prestazioni complessive del circuito.

Qual è il significato del suo design a montaggio superficiale?


Il design a montaggio superficiale favorisce l'assemblaggio compatto su PCB, migliora la gestione termica e ottimizza lo spazio nelle applicazioni elettroniche.

MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Link consigliati