MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 4.1 mΩ, 190 A, 7 Pin, TO-263, Superficie
- Codice RS:
- 217-2641
- Codice costruttore:
- IRLS4030TRL7PP
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 800 unità*
1854,40 €
(IVA esclusa)
2262,40 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 800 + | 2,318 € | 1.854,40 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 217-2641
- Codice costruttore:
- IRLS4030TRL7PP
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 190A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.1mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 16 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 370W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 140nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.55 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.35mm | |
| Altezza | 15.3mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 190A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.1mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 16 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 370W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 140nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.55 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.35mm | ||
Altezza 15.3mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 100V in contenitore D2-Pak a 7 pin.
Ottimizzato per unità di livello logico
RDS(ON) molto bassa a 4,5 V VGS
Superiore R*Q a 4,5 V VGS i
Migliorata resistenza a gate, effetto valanga e DV/dt dinamico
Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga
Diodo incorporato ottimizzato DV/dt e di/dt
Senza piombo
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