MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 4.1 mΩ, 170 A, TO-263, Superficie IRFS3207ZTRRPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2632
Codice costruttore:
IRFS3207ZTRRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.1mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 75V in contenitore D2-Pak.

Migliorata resistenza a porte, valanghe e dv/dt dinamica

Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga

Diodo incorporato ottimizzato DV/dt e di/dt

Senza piombo

Conformità RoHS, senza alogeni

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