MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 4.5 mΩ, 170 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IRF2907ZSTRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-4446
Codice costruttore:
IRF2907ZSTRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Questo MOSFET di potenza Infineon HEXFET utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. È dotato di una rapida velocità di commutazione e valori nominali dell'effetto valanga migliori.

È senza piombo

È in grado di essere saldato a onda

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