MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 4.5 mΩ, 170 A, TO-252, Superficie IRFS3207TRLPBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
217-2629
Codice costruttore:
IRFS3207TRLPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

170A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

4.5mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

260nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

9.65mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza HEXFET a canale N singolo Infineon 75V in contenitore D2-Pak.

Migliorata resistenza a valanghe da gate e dinamica DV/dt

Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga

Diodo incorporato ottimizzato DV/dt e di/dt

Senza piombo

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