MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 800 V, 360 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie NTD360N80S3Z

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Codice RS:
205-2498
Codice costruttore:
NTD360N80S3Z
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Massima corrente di scarico continua Id

13A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-252

Serie

SUPERFET III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

360mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

25.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

2.39mm

Larghezza

5.55 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

9.35mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET 800V a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è ottimizzato per l'interruttore primario del convertitore flyback, consente minori perdite di commutazione e temperatura del contenitore senza sacrificare le prestazioni EMI grazie al suo design ottimizzato. Inoltre, il diodo Zener interno migliora notevolmente la capacità ESD. Questa nuova famiglia consente di rendere più efficienti, compatte, più fredde e applicazioni più robuste grazie alle notevoli prestazioni in applicazioni di potenza di commutazione come adattatore per laptop, audio, illuminazione, alimentatori ATX e alimentatori industriali.

Corrente nominale di drain continua di 13A

Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 360mohm

Carica di gate ultra bassa

Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita

Testato con effetto valanga al 100%

Il tipo di contenitore è D-PAK

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