MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 800 V, 360 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-252, Superficie
- Codice RS:
- 205-2497
- Codice costruttore:
- NTD360N80S3Z
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 205-2497
- Codice costruttore:
- NTD360N80S3Z
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 9.35mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 5.55 mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 9.35mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 5.55 mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET 800V a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è ottimizzato per l'interruttore primario del convertitore flyback, consente minori perdite di commutazione e temperatura del contenitore senza sacrificare le prestazioni EMI grazie al suo design ottimizzato. Inoltre, il diodo Zener interno migliora notevolmente la capacità ESD. Questa nuova famiglia consente di rendere più efficienti, compatte, più fredde e applicazioni più robuste grazie alle notevoli prestazioni in applicazioni di potenza di commutazione come adattatore per laptop, audio, illuminazione, alimentatori ATX e alimentatori industriali.
Corrente nominale di drain continua di 13A
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 360mohm
Carica di gate ultra bassa
Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita
Testato con effetto valanga al 100%
Il tipo di contenitore è D-PAK
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