MOSFET e diodo onsemi, canale Tipo N 800 V, 360 mΩ Miglioramento, 13 A, 3 Pin, TO-220, Superficie NTPF360N80S3Z
- Codice RS:
- 205-2506
- Codice costruttore:
- NTPF360N80S3Z
- Costruttore:
- onsemi
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- Codice RS:
- 205-2506
- Codice costruttore:
- NTPF360N80S3Z
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 13A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 800V | |
| Serie | SUPERFET III | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 360mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 25.3nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 31W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Altezza | 4.5mm | |
| Lunghezza | 28.45mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Massima corrente di scarico continua Id 13A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 800V | ||
Serie SUPERFET III | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 360mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 25.3nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 31W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Altezza 4.5mm | ||
Lunghezza 28.45mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET 800V a canale N serie SUPERFET III ON Semiconductor è ottimizzato per l'interruttore primario del convertitore flyback, consente minori perdite di commutazione e temperatura del contenitore senza sacrificare le prestazioni EMI grazie al suo design ottimizzato. Inoltre, il diodo Zener interno migliora notevolmente la capacità ESD. Questa nuova famiglia consente di rendere più efficienti, compatte, più fredde e applicazioni più robuste grazie alle notevoli prestazioni in applicazioni di potenza di commutazione come adattatore per laptop, audio, illuminazione, alimentatori ATX e alimentatori industriali.
Corrente nominale di drain continua di 13A
Il valore nominale della resistenza all'accensione drain-source è 360mohm
Carica di gate ultra bassa
Bassa energia immagazzinata nella capacità di uscita
Testato con effetto valanga al 100%
Il tipo di contenitore è TO-220F
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