MOSFET Infineon, canale N 700 V, 600 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70R600P7SAUMA1

Codice RS:: 215-2509
Codice costruttore:: IPD70R600P7SAUMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 700 V, 600 mΩ Miglioramento, 8.5 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD70R600P7SAUMA1

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Codice RS:: 215-2509
Codice costruttore:: IPD70R600P7SAUMA1
Costruttore:: Infineon

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Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	8.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	700V
	Serie	700V CoolMOS P7
	Tipo di package	TO-252
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	600mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	900mV
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	10.5nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	10.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 8.5A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V
	Serie 700V CoolMOS P7
	Tipo di package TO-252
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 600mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 900mV
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 10.5nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 10.5W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Datasheet - IPD70R600P7SAUMA1

MOSFET CoolMOS Infineon serie P7 da 700 V, tensione di sorgente di drenaggio da 700 V, corrente di drenaggio continua da 8,5 A - IPD70R600P7SAUMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione ad alta tensione a canale N progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in modalità di potenziamento ed è progettato per i circuiti che richiedono un'elevata capacità di tensione drain-source, fornendo al contempo prestazioni di conduzione moderate e gestione termica per layout SMD compatti.

Caratteristiche e vantaggi:

• Il valore nominale drain-source di 700 V consente attività di commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 8.5 A supporta la conduzione del carico sostenuta
• Rds(on) di 600 mΩ limita le perdite di conduzione nei progetti di media potenza
• La dissipazione di potenza massima di 10,5 W consente un margine termico affidabile
• La carica gate tipica di 10,5 nC consente transizioni gate più veloci
• La tolleranza gate di ±20 V consente tensioni standard di gate drive

Applicazioni

• Adatto per alimentatori switching ad alta tensione
• Ideale per le fasi di conversione dell'alimentazione sul lato primario
• Utilizzato con topologie a commutazione rigida e a risonanza
• Può essere utilizzato per ballast di illuminazione industriale
• Prodotto impiegato in moduli di alimentazione SMD compatti

Quale intervallo di temperatura può resistere al funzionamento?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, coprendo ampi ambienti termici.

Quanti collegamenti elettrici presenta per il layout del circuito stampato?

Il dispositivo è dotato di tre pin in un contenitore a montaggio superficiale TO‐252 che richiede un design con ingombro SMD convenzionale.

Quale caratteristica di conduzione determina la caduta di tensione durante lo stato di accensione?

La resistenza in stato attivo di 600 mΩ definisce la caduta di tensione a una determinata corrente di drenaggio e influisce sulle perdite di conduzione.

In che modo l'azionamento del gate influisce sulle prestazioni di commutazione?

La carica gate tipica di 10,5 nC in condizioni Vgs influisce sulla corrente di azionamento e sulla velocità di commutazione richieste per una determinata capacità gate‐driver.