MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 700 V, 1.2 Ω Miglioramento, 9.4 A, 3 Pin, TO-251, Foro passante
- Codice RS:
- 220-7443
- Codice costruttore:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
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| 125 - 225 | 0,421 € | 10,53 € |
| 250 - 600 | 0,403 € | 10,08 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7443
- Codice costruttore:
- IPSA70R1K2P7SAKMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.4A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | TO-251 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 25W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Minima temperatura operativa | -40°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 6.6mm | |
| Altezza | 6.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.4A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package TO-251 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 25W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Minima temperatura operativa -40°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 6.6mm | ||
Altezza 6.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La Infineon ha sviluppato la serie di MOSFET a super giunzione 700V Cool MOS P7 per soddisfare le tendenze attuali e soprattutto future nelle topologie fly back. Si rivolge al mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio i caricabatterie per telefoni cellulari o gli adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. Combinando il feedback dei clienti con oltre 20 anni di esperienza con i MOSFET a super giunzione, 700V Cool MOS P7 consente di adattarsi al meglio alle applicazioni target in termini di:
FOM R DS(ON) x e oss estremamente basso; Abbassare Q g, e ON e e Off
Tecnologia ad alte prestazioni
Basse perdite di commutazione (e oss)
Estremamente efficiente
Eccellente comportamento termico
Consente la commutazione ad alta velocità
Diodo Zener di protezione integrato
V (GS) ottimizzata di 3V con tolleranza molto stretta di ±0,5 V.
Portafoglio finemente graduato
Tecnologia competitiva dal punto di vista dei costi
Fino al 2,4% di guadagno di efficienza e 12K di temperatura del dispositivo inferiore Rispetto alla tecnologia C6
Ulteriore guadagno di efficienza a una maggiore velocità di commutazione
Supporto di dimensioni magnetiche inferiori con costi BOM inferiori
Elevata robustezza ESD fino al livello HBM classe 2
Facile da guidare e progettare
Abilitatore per fattori di forma più piccoli e progetti ad alta densità di potenza
Scelta eccellente nella scelta del prodotto più adatto
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