MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie
- Codice RS:
- 215-2529
- Codice costruttore:
- IPN80R2K0P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 215-2529
- Codice costruttore:
- IPN80R2K0P7ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 6.4W | |
| Tensione diretta Vf | 0.9V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 6.4W | ||
Tensione diretta Vf 0.9V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a super giunzione Infineon 800V Cool MOS™ P7 è perfetta per applicazioni SMPS a bassa potenza soddisfacendo pienamente le esigenze del mercato in termini di prestazioni, facilità d'uso e rapporto prezzo/prestazioni. Si concentra principalmente sulle applicazioni fly-back tra cui adattatore e caricabatterie, driver LED, SMPS audio, AUX e alimentazione industriale. Questa nuova famiglia di prodotti offre un guadagno di efficienza fino allo 0,6% e una temperatura del MOSFET inferiore da 2 °C a 8 °C rispetto al modello precedente, nonché ai componenti della concorrenza testati in applicazioni flyback tipiche. Inoltre, consente progetti con maggiore densità di potenza grazie a minori perdite di commutazione e migliori prodotti DPAK RDS(ON).
Diodo Zener integrato con protezione ESD fino alla classe 2 (HBM)
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