MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

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Codice RS:
222-4921
Codice costruttore:
IPN70R2K0P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

IPN70R

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-40°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.7mm

Altezza

1.8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon CoolMOS™ P7 supergiunzione (SJ) è progettato per risolvere le sfide tipiche del mercato degli SMPS a bassa potenza, offrendo eccellenti prestazioni e facilità d'uso, consentendo fattori di forma e competitività dei prezzi migliorati.......... Il modello Infineon CoolMOS SJ (Supergiunzione) Il contenitore SOT-223 è un'alternativa drop-in one-to-one conveniente rispetto ai DPAK che consente anche la riduzione dell'ingombro in alcuni progetti. Può essere posizionato su un tipico ingombro DPAK e mostra prestazioni termiche paragonabili. Questa combinazione rende CoolMOS™ P7 in SOT-223 una soluzione perfetta per le applicazioni target.

Abilitazione della temperatura del chip MOSFET inferiore

Maggiore efficienza rispetto alle tecnologie precedenti

Consente di migliorare i fattori di forma e i design sottili

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