MOSFET Infineon, canale N 700 V, 2 Ω Miglioramento, 3 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantità

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

441,00 €

(IVA esclusa)

537,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 05 febbraio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,147 €441,00 €
6000 +0,143 €429,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4921
Codice costruttore:
IPN70R2K0P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

SOT-223

Serie

IPN70R

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-40°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

3.8nC

Dissipazione di potenza massima Pd

6W

Tensione diretta Vf

900mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

3.7mm

Lunghezza

6.7mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.8mm

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie IPN70R, tensione massima della sorgente di drenaggio di 700 V, corrente di drenaggio continua massima di 3 A - IPN70R2K0P7SATMA1


Questo MOSFET è un dispositivo di potenziamento ad alta tensione a canale N progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in circuiti che richiedono tensioni drain-source elevate. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni in cui l'azionamento del gate controllato e la gestione della dissipazione di potenza sono importanti.

Caratteristiche e vantaggi:


• Il valore nominale drain-source di 700 V consente la commutazione ad alta tensione
• La corrente di drenaggio continua di 3 A supporta carichi di corrente moderati
• RDS(on) massimo di 2 Ω riduce le perdite di conduzione in caso di carichi leggeri
• La carica tipica del gate di 3,8 nC riduce al minimo l'energia di commutazione
• Il limite massimo gate-source di 16 V consente livelli gate-drive standard
• La dissipazione di potenza massima di 6 W favorisce la gestione termica in SOT-223

Applicazioni


• Adatto per alimentatori che richiedono interruttori ad alta tensione
• Ideale per regolatori a commutazione con requisiti di corrente moderati
• Utilizzato per la commutazione lato linea nelle apparecchiature di controllo industriali
• Può essere utilizzato per i driver di illuminazione che funzionano ad alta tensione
• Utilizzato con assemblaggi a montaggio superficiale in cui è necessaria un'alimentazione compatta

Quali temperature ambientali può tollerare durante il funzionamento?


È specificato per funzionare fino a -40 °C e fino a 150 °C.

In che modo il contenitore influisce sul montaggio e sul percorso termico?


Il contenitore SOT-223 è progettato per il montaggio superficiale e fornisce un percorso termico adatto per la sua dissipazione nominale di 6 W.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono necessarie per un funzionamento sicuro?


La tensione del gate non deve superare 16 V e deve essere controllata per ottenere la conduzione di miglioramento desiderata, rispettando la carica del gate di 3,8 nC.

In che modo i progettisti devono tenere conto delle perdite di conduzione alla corrente nominale?


Utilizzare la resistenza massima drain-source di 2 Ω per stimare le perdite di conduzione nel peggiore dei casi a correnti continue fino a 3 A.

Link consigliati

Rimani aggiornato sulle novità di prodotto e sulle nostre offerte!

Indirizzo email

I dati personali forniti saranno trattati in linea con la nostra Politica sulla Privacy.