MOSFET Infineon, canale N, 25 Ω, 170 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-5810
Codice costruttore:: BSP324H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 25 Ω, 170 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 1000)

0,296 €

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0,361 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
1000 - 1000	0,296 €	296,00 €
2000 - 2000	0,281 €	281,00 €
3000 +	0,263 €	263,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-5810
Codice costruttore:: BSP324H6327XTSA1
Costruttore:: Infineon

BSP324 SIPMOS Power Transistor Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	170 mA
Tensione massima drain source	400 V
Serie	SIPMOS®
Tipo di package	SOT-223
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	25 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.3V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	1,8 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Carica gate tipica @ Vgs	4,54 nC a 10 V
Materiale del transistor	Si
Larghezza	3.5mm
Lunghezza	6.5mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.6mm

MOSFET Infineon, canale N, 25 Ω, 170 mA, SOT-223, Montaggio superficiale

MOSFET canale N Infineon SIPMOS®

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