MOSFET Infineon, canale N, 0.6 Ω, 8,5 A, SOT-223, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 218-3065
- Codice costruttore:
- IPN70R600P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
5975 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Prezzo per 1pz in confezione da 25
0,631 €
(IVA esclusa)
0,77 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,631 € | 15,775 € |
| 125 - 225 | 0,60 € | 15,00 € |
| 250 - 600 | 0,574 € | 14,35 € |
| 625 - 1225 | 0,549 € | 13,725 € |
| 1250 + | 0,511 € | 12,775 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 218-3065
- Codice costruttore:
- IPN70R600P7SATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™ 700V Infineon. Il più recente CoolMOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida, combinato con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia Art.
Perdite estremamente basse grazie alla FOM RDS(ON)*Qg and molto bassa RDS(ON)*Eoss
Eccellente comportamento termico
Diodo di protezione ESD integrato
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Eccellente comportamento termico
Diodo di protezione ESD integrato
Basse perdite di commutazione (Eoss)
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 8,5 A |
| Tensione massima drain source | 700 V |
| Serie | CoolMOS™ P7 |
| Tipo di package | SOT-223 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 3 |
| Resistenza massima drain source | 0.6 Ω |
| Tensione di soglia gate massima | 3.5V |
| Materiale del transistor | Si |
| Numero di elementi per chip | 1 |
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