MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 600 mΩ, 8.5 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

900,00 €

(IVA esclusa)

1110,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 - 30000,30 €900,00 €
6000 +0,285 €855,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
218-3064
Codice costruttore:
IPN70R600P7SATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

700V CoolMOSª P7

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

10.5nC

Minima temperatura operativa

-40°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

6.9W

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

3.7 mm

Altezza

1.8mm

Lunghezza

6.7mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™ 700V Infineon. Il più recente CoolMOS™ P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc. la nuova serie offre tutti i vantaggi di un MOSFET a super giunzione a commutazione rapida, combinato con un eccellente rapporto prezzo/prestazioni e un livello di facilità d'uso all'avanguardia Art.

Perdite estremamente basse grazie alla FOM RDS(ON)*Qg and molto bassa RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Link consigliati