MOSFET Infineon, canale Tipo P -100 V, 1800 mΩ Miglioramento, 680 mA, 3 Pin, SOT-223, Superficie BSP316PH6327XTSA1
- Codice RS:
- 250-0536
- Codice Distrelec:
- 304-40-496
- Codice costruttore:
- BSP316PH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 250-0536
- Codice Distrelec:
- 304-40-496
- Codice costruttore:
- BSP316PH6327XTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 680mA | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | -100V | |
| Serie | BSP | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1800mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | +150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 680mA | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds -100V | ||
Serie BSP | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1800mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento +150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie BSP, tensione massima drain-source 100 V, temperatura d'esercizio massima +150 °C - BSP316PH6327XTSA1
Questo MOSFET a canale p è un transistor a montaggio superficiale progettato per la commutazione di potenza in ambienti con temperature elevate. Funziona in un ampio intervallo termico ed è progettato per applicazioni che richiedono una conduzione drenaggio-sorgente controllata con capacità di corrente continua moderata. Il componente soddisfa le restrizioni automobilistiche e ambientali per l'uso nei casi in cui è richiesta la conformità agli standard.
Caratteristiche e vantaggi:
• Rds(on) di 1800 mΩ riduce le perdite di conduzione e semplifica la progettazione termica
• La corrente di drenaggio continua di 0,68 A supporta la commutazione di carichi da bassi a moderati
• La carica gate tipica di 80 nC consente transizioni gate più veloci con una minore energia di azionamento
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione dell'energia sostenuta in contenitori limitati
• La temperatura d'esercizio massima di +150 °C consente l'uso in assemblaggi ad alta temperatura
• La corrente di drenaggio continua di 0,68 A supporta la commutazione di carichi da bassi a moderati
• La carica gate tipica di 80 nC consente transizioni gate più veloci con una minore energia di azionamento
• La dissipazione di potenza di 81 W consente una gestione dell'energia sostenuta in contenitori limitati
• La temperatura d'esercizio massima di +150 °C consente l'uso in assemblaggi ad alta temperatura
Applicazioni
• Adatto per la gestione dell'alimentazione dei sottosistemi automobilistici
• Ideale per i circuiti di regolazione e di commutazione del carico a montaggio superficiale
• Utilizzato con la gestione della batteria e i moduli di commutazione a bassa corrente
• Può essere utilizzato per il controllo del percorso di alimentazione tollerante al calore su schede compatte
• Adatto per progetti che richiedono componenti a canale P conformi alla direttiva RoHS
• Ideale per i circuiti di regolazione e di commutazione del carico a montaggio superficiale
• Utilizzato con la gestione della batteria e i moduli di commutazione a bassa corrente
• Può essere utilizzato per il controllo del percorso di alimentazione tollerante al calore su schede compatte
• Adatto per progetti che richiedono componenti a canale P conformi alla direttiva RoHS
Quali limiti di tensione di gate devono essere rispettati durante il funzionamento?
Il dispositivo accetta fino a 20 V tra gate e sorgente e non deve superare questo valore.
Quale tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza per l'integrazione su circuito stampato?
È fornito in un contenitore SOT‐223 progettato per il montaggio superficiale per facilitare l'accoppiamento termico.
Quale comportamento elettrotermico si applica per una dissipazione prolungata?
Il componente è classificato per dissipare fino a 81 W in condizioni specifiche, ma richiede un'adeguata gestione termica del circuito stampato.
Il dispositivo è qualificato per ambienti automobilistici?
È conforme alle norme AEC-Q101 per la schermatura dei semiconduttori di livello automobilistico.
Quale standard di restrizione ambientale soddisfa?
Il componente è conforme alla direttiva RoHS e soddisfa i requisiti sulle sostanze prive di piombo e soggette a restrizioni.
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