MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 3.7 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie BSR802NL6327HTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
250-0540
Codice costruttore:
BSR802NL6327HTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

3.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

BSR

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Tensione diretta Vf

1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

Distrelec Product Id

304-40-497

Infineon realizza questo transistor a piccolo segnale Optimos 2. Si tratta di un transistor in modalità potenziata a canale P ampiamente utilizzato in applicazioni ad alta commutazione. È a valanga e senza alogeni.

Livello logico (valore nominale 4,5 V)

Classificato anti effetto valanga e 100% senza piombo

La dissipazione di potenza massima è di 360 mW

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