MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 750 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IPA70R750P7SXKSA1

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 20 unità*

15,00 €

(IVA esclusa)

18,40 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 260 unità in spedizione dal 13 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
20 - 800,75 €15,00 €
100 - 1800,712 €14,24 €
200 - 4800,682 €13,64 €
500 - 9800,652 €13,04 €
1000 +0,607 €12,14 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2485
Codice costruttore:
IPA70R750P7SXKSA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

TO-220

Serie

700V CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

21.2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS™ 700V Infineon soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili. Il più recente CoolMOS™P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Link consigliati