MOSFET Infineon, canale Tipo N 700 V, 750 mΩ Miglioramento, 6.5 A, 3 Pin, IPAK, Foro passante IPSA70R750P7SAKMA1

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 25 unità*

13,55 €

(IVA esclusa)

16,525 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 03 novembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
25 - 1000,542 €13,55 €
125 - 2250,515 €12,88 €
250 - 6000,493 €12,33 €
625 - 12250,471 €11,78 €
1250 +0,439 €10,98 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
215-2554
Codice costruttore:
IPSA70R750P7SAKMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Tipo di package

IPAK

Serie

CoolMOS P7

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

750mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

34.7W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a super giunzione P7 Cool MOS™ 700V Infineon soddisfa il mercato degli SMPS a bassa potenza, come ad esempio caricabatterie per telefoni cellulari o adattatori per notebook, offrendo vantaggi prestazionali fondamentali rispetto alle tecnologie di super giunzione utilizzate oggi. La tecnologia soddisfa i più elevati standard di efficienza e supporta un'elevata densità di potenza, consentendo ai clienti di passare a progetti molto sottili. Il più recente CoolMOS™P7 è una piattaforma ottimizzata su misura per applicazioni sensibili ai costi nei mercati di consumo come caricabatterie, adattatore, illuminazione, TV, ecc.

Perdite estremamente basse dovute a FOMRDS(ON)*Qg molto basso e RDS(ON)*Eoss

Eccellente comportamento termico

Diodo di protezione ESD integrato

Basse perdite di commutazione (Eoss)

Link consigliati