MOSFET Infineon, canale N 700 V, 225 mΩ Miglioramento, 41 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 219-6006
- Codice costruttore:
- IPP65R225C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 219-6006
- Codice costruttore:
- IPP65R225C7XKSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 41A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 700V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 225mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 63W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Lunghezza | 10.36mm | |
| Larghezza | 15.95mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 4.57mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 41A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 700V | ||
Serie CoolMOS | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 225mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 63W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 20nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Lunghezza 10.36mm | ||
Larghezza 15.95mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 4.57mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie di MOSFET a supergiunzione Infineon CoolMOS C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa del mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico.
Margine di sicurezza migliorato e adatto per applicazioni SMPS e inverter solare
Perdite di conduzione/contenitore minimo
Basse perdite di commutazione
Migliore efficienza con carichi leggeri
Aumento della densità di potenza
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