MOSFET Infineon, canale N 700 V, 225 mΩ Miglioramento, 41 A, 3 Pin, TO-220, Superficie IPP65R225C7XKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
219-6007
Codice costruttore:
IPP65R225C7XKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

41A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

700V

Serie

CoolMOS

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

225mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

20nC

Dissipazione di potenza massima Pd

63W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

900mV

Minima temperatura operativa

-55°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

15.95mm

Lunghezza

10.36mm

Altezza

4.57mm

Standard automobilistico

No

La serie di MOSFET a supergiunzione Infineon CoolMOS C7 è un rivoluzionario passo avanti nella tecnologia, che offre la RDS(on)/contenitore più bassa del mondo e, grazie alle sue basse perdite di commutazione, miglioramenti dell'efficienza su tutta la gamma di carico.

Margine di sicurezza migliorato e adatto per applicazioni SMPS e inverter solare

Perdite di conduzione/contenitore minimo

Basse perdite di commutazione

Migliore efficienza con carichi leggeri

Aumento della densità di potenza

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