MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 9 mΩ, 80 A, TO-252, Superficie IRFR3607TRPBF
- Codice RS:
- 257-9406
- Codice costruttore:
- IRFR3607TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
6,42 €
(IVA esclusa)
7,83 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 4765 unità in spedizione dal 20 febbraio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,284 € | 6,42 € |
| 50 - 120 | 1,116 € | 5,58 € |
| 125 - 245 | 1,042 € | 5,21 € |
| 250 - 495 | 0,976 € | 4,88 € |
| 500 + | 0,706 € | 3,53 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 257-9406
- Codice costruttore:
- IRFR3607TRPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 80A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 75V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9mΩ | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 56nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 80A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 75V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9mΩ | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 56nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
La serie IRFR di Infineon è costituita da mosfet di potenza HEXFET a canale n singolo da 75 V in un contenitore D Pak. La famiglia IR mosfet di mosfet di potenza utilizza processi al silicio collaudati che offrono ai progettisti un'ampia gamma di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori c.c., inverter, SMPS, illuminazione, interruttori di carico, nonché applicazioni alimentate a batteria. I dispositivi sono disponibili in una varietà di contenitori per montaggio superficiale e a foro passante con ingombri standard industriali per una maggiore facilità di progettazione.
Struttura della cella planare per un'ampia SOA
Ottimizzato per la massima disponibilità da parte dei partner di distribuzione
Qualificazione del prodotto in conformità allo standard JEDEC
Silicio ottimizzato per applicazioni di commutazione al di sotto di 100 kHz
Contenitore per montaggio superficiale standard industriale
Link consigliati
- MOSFET Infineon 9 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPD90N03S4L03ATMA1
- MOSFET Infineon 5 75 A Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon 9 mΩ TO-263
- MOSFET Infineon 4.5 mΩ TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 9 mΩ TO-263 IRFS3607TRLPBF
- MOSFET Infineon 3 mΩ 3 Pin Superficie