MOSFET Infineon, canale Tipo N 75 V, 2 mΩ Miglioramento, 120 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB020NE7N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
825-9213
Codice costruttore:
IPB020NE7N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

300W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

155nC

Tensione diretta Vf

0.9V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

4.57mm

Lunghezza

10.31mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

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