MOSFET Infineon, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 820-8867
Codice costruttore:: IRFS7530TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 820-8867
Codice costruttore:: IRFS7530TRL7PP
Costruttore:: Infineon

StrongIRFET IRFS7530-7PPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	240 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	StrongIRFET
Tipo di package	D2PAK-7
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	1,4 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	375 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	10.67mm
Carica gate tipica @ Vgs	236 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Larghezza	9.65mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 1,4 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon

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