MOSFET Infineon, canale N, 1,95 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Codice RS:: 820-8861
Codice costruttore:: IRFS7534TRL7PP
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 1,95 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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20 - 48	2,90 €	5,80 €
50 - 98	2,705 €	5,41 €
100 - 198	2,51 €	5,02 €
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Codice RS:: 820-8861
Codice costruttore:: IRFS7534TRL7PP
Costruttore:: Infineon

StrongIRFET IRFS7534-7PPbF, HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	240 A
Tensione massima drain source	60 V
Tipo di package	D2PAK-7
Serie	StrongIRFET
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	7
Resistenza massima drain source	1,95 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.7V
Tensione di soglia gate minima	2.1V
Dissipazione di potenza massima	290 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Larghezza	9.65mm
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	200 nC @ 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Lunghezza	10.67mm
Altezza	4.83mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 1,95 mΩ, 240 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon

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