MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie IAUC41N06S5N102ATMA1
- Codice RS:
- 249-8629
- Codice costruttore:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,356 € | 6,78 € |
| 50 - 120 | 1,196 € | 5,98 € |
| 125 - 245 | 1,108 € | 5,54 € |
| 250 - 495 | 1,034 € | 5,17 € |
| 500 + | 0,964 € | 4,82 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 249-8629
- Codice costruttore:
- IAUC41N06S5N102ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 120A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | IAUC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 120A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie IAUC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET per uso automobilistico Infineon 60V, N-CH, 10,2 mohm, con tecnologia OptiMOS 5 per MOSFET 60V nel contenitore standard industriale con ingombro ridotto S3O8 da 5 mm x 6 mm con prestazioni leader del settore che fornisce una bassa capacità RDSon, QG e gate e riduce al minimo le perdite di conduzione e commutazione.
MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche
Canale N, modalità potenziata, livello normale
Qualifica estesa oltre AEC-Q101
Test elettrici migliorati
Struttura robusta
MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C
Temperatura d'esercizio: 175 °C
Prodotto non inquinante (conformità RoHS)
Testato al 100% con effetto valanga
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