MOSFET Infineon, canale N 30 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC011N03LSIATMA1

Codice RS:: 906-4362
Codice costruttore:: BSC011N03LSIATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 30 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC011N03LSIATMA1

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Codice RS:: 906-4362
Codice costruttore:: BSC011N03LSIATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	30V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	OptiMOS
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	1.4mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	34nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione diretta Vf	700mV
	Dissipazione di potenza massima Pd	96W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Altezza	1.1mm
	Lunghezza	6.1mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	5.35mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V
	Tipo di package TDSON
	Serie OptiMOS
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 34nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione diretta Vf 700mV
	Dissipazione di potenza massima Pd 96W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Altezza 1.1mm
	Lunghezza 6.1mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 5.35mm
	Standard automobilistico No

Esente

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 30 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC011N03LSIATMA1

Questo MOSFET è un transistor di commutazione di potenza progettato per applicazioni ad alta corrente e bassa tensione in assemblaggi a montaggio superficiale. Funziona in un'ampia gamma di temperature ed è progettato per l'uso nei casi in cui è richiesta una conduzione efficiente e un controllo rapido del gate. Il dispositivo è fornito in un contenitore TDSON a otto pin ed è progettato per essere montato direttamente sulle superfici della scheda a circuito stampato.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassissima resistenza in stato attivo di 1,4 mΩ riduce le perdite di conduzione
• L'elevata corrente di drenaggio continua di 100 A supporta carichi pesanti
• La bassa tensione diretta Vf di 0,7 V migliora l'efficienza sotto carico
• La carica gate moderata di 34 nC consente una commutazione relativamente rapida
• La tensione massima drain-source di 30 V consente stadi di potenza a bassa tensione
• La dissipazione di potenza di 96 W supporta uno stress termico elevato

Applicazioni

• Adatto per convertitori buck sincroni negli alimentatori
• Ideale per le fasi di azionamento del motore che richiedono corrente elevata
• Utilizzato con circuiti di gestione della batteria in sistemi ad alta scarica
• Può essere utilizzato per convertitori CC-CC nelle apparecchiature di telecomunicazione
• Utilizzato per la commutazione di carichi ad alta corrente su schede a montaggio superficiale

Quali sono i limiti di tensione del gate da rispettare per un funzionamento sicuro?

La tensione nominale da gate a sorgente è limitata a un massimo di 20 V, pertanto l'azionamento del gate deve essere mantenuto entro questo intervallo per evitare sollecitazioni dielettriche o in ossido di gate.

In che modo le prestazioni termiche si riferiscono agli estremi ambientali?

Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a una temperatura di giunzione di 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura a condizione che venga applicata un'adeguata gestione termica.

Quali sono le considerazioni relative al montaggio e all'ingombro?

Viene fornito in un contenitore TDSON con otto pin per il montaggio superficiale

garantire che le vie termiche del circuito stampato e l'area in rame supportino la dissipazione da 96 W e i percorsi ad alta corrente.

In che modo il tipo di canale influisce sulle scelte di topologia del circuito?

La modalità di potenziamento a canale N richiede che il gate sia pilotato in modo positivo rispetto alla sorgente per la conduzione, il che lo rende adatto come interruttore low-side o in configurazioni sincrone.