MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC011N03LSIATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
906-4362
Codice costruttore:
BSC011N03LSIATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Tensione diretta Vf

0.7V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.1mm

Larghezza

5.35 mm

Standard automobilistico

No

Esente

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


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Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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