Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale N, 0,0014 O, 205 A, TDSON, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 in contenitore SuperSO8 offre la tecnologia più recente insieme ai miglioramenti della temperatura nel contenitore. Questa nuova combinazione consente una maggiore densità di potenza e una maggiore robustezza. Rispetto ai dispositivi con valori nominali inferiori, la funzione TJ_MAX di 175 °C offre una maggiore potenza a una temperatura di giunzione d'esercizio più elevata o una maggiore durata alla stessa temperatura di giunzione d'esercizio. Inoltre, si ottiene un miglioramento del 20% nell'area operativa sicura (SOA). Questa nuova caratteristica del contenitore è perfetta per applicazioni quali telecomunicazioni, azionamenti per motori e server.

Bassa resistenza RDS(on)
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Maggiore capacità di 175 °C in SuperSO8
Maggiore durata
Massima efficienza e densità di potenza
Massima affidabilità del sistema
Robustezza termica