MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 170-2297
- Codice costruttore:
- BSC014N04LSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
2740,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,548 € | 2.740,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 170-2297
- Codice costruttore:
- BSC014N04LSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 96W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Larghezza | 6.15mm | |
| Lunghezza | 5.15mm | |
| Standard/Approvazioni | J-STD20 and JESD22 | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 96W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Larghezza 6.15mm | ||
Lunghezza 5.15mm | ||
Standard/Approvazioni J-STD20 and JESD22 | ||
Altezza 1.1mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 100 A - BSC014N04LSATMA1
Questo MOSFET è un transistor di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale. Funziona in un ampio intervallo di temperature, supporta correnti di drenaggio continue consistenti ed è progettato per la conversione di potenza compatta e le attività di commutazione ad alta efficienza nei sistemi elettronici industriali.
Caratteristiche e vantaggi:
• Il basso valore di Rds(on) di 1.4 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di correnti elevate
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente stadi di potenza a media tensione
• La carica gate tipica di 61 nC supporta prestazioni di commutazione veloci
• La dissipazione di potenza massima di 96 W consente un carico termico significativo
• La tensione massima gate-source di 20 V consente un azionamento gate robusto
• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di correnti elevate
• Il valore nominale drain-source di 40 V consente stadi di potenza a media tensione
• La carica gate tipica di 61 nC supporta prestazioni di commutazione veloci
• La dissipazione di potenza massima di 96 W consente un carico termico significativo
• La tensione massima gate-source di 20 V consente un azionamento gate robusto
Applicazioni
• Adatto per gli stadi primari e secondari del convertitore CC-CC
• Ideale per guide di alimentazione ad alta corrente nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato con convertitori buck sincroni per una commutazione efficiente
• Può essere utilizzato per i moduli half-bridge del driver del motore
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale
• Ideale per guide di alimentazione ad alta corrente nelle apparecchiature industriali
• Utilizzato con convertitori buck sincroni per una commutazione efficiente
• Può essere utilizzato per i moduli half-bridge del driver del motore
• Adatto per gruppi di alimentazione compatti a montaggio superficiale
Quale contenitore e metodo di montaggio utilizza?
È fornito in un contenitore TDSON a 8 pin e progettato per il montaggio superficiale su una scheda.
In che modo è in grado di gestire intervalli di temperatura estesi?
È classificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti termici impegnativi.
Quali limitazioni del gate drive devono rispettare i progettisti?
Il dispositivo consente una tensione massima gate-sorgente di 20 V, pertanto i driver gate devono rimanere entro questo limite.
Quale polarità elettrica e comportamento del canale segue?
Si tratta di un dispositivo a canale N in modalità di potenziamento e richiede un azionamento gate positivo per condurre.
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