MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
249-8628
Codice costruttore:
IAUC41N06S5N102ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IAUC

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico Infineon 60V, N-CH, 10,2 mohm, con tecnologia OptiMOS 5 per MOSFET 60V nel contenitore standard industriale con ingombro ridotto S3O8 da 5 mm x 6 mm con prestazioni leader del settore che fornisce una bassa capacità RDSon, QG e gate e riduce al minimo le perdite di conduzione e commutazione.

MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche

Canale N, modalità potenziata, livello normale

Qualifica estesa oltre AEC-Q101

Test elettrici migliorati

Struttura robusta

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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