MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC014N04LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1961
Codice costruttore:
BSC014N04LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

61nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Dissipazione di potenza massima Pd

96W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.15 mm

Standard/Approvazioni

J-STD20 and JESD22

Lunghezza

5.15mm

Standard automobilistico

No

Infineon BSC014N04LS è un MOSFET di potenza OptiMOS con contenitore di tipo PG-TDSON-8. È dotato di un comportamento di commutazione perfetto per le applicazioni di commutazione rapida.

RDS(ON) resistenza in stato attivo molto bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Eccellente resistenza termica

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