MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 205 A, 8 Pin, TDSON, Superficie
- Codice RS:
- 220-7349
- Codice costruttore:
- BSC014N04LSTATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
3295,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,659 € | 3.295,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 220-7349
- Codice costruttore:
- BSC014N04LSTATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET e diodo | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 205A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.4mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 61nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 115W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 5.35mm | |
| Altezza | 1.2mm | |
| Larghezza | 6.1 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET e diodo | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 205A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.4mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 61nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 115W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 5.35mm | ||
Altezza 1.2mm | ||
Larghezza 6.1 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS 5 in contenitore SuperSO8 offre la tecnologia più recente insieme ai miglioramenti della temperatura nel contenitore. Questa nuova combinazione consente una maggiore densità di potenza e una maggiore robustezza. Rispetto ai dispositivi con valori nominali inferiori, la funzione TJ_MAX di 175 °C offre una maggiore potenza a una temperatura di giunzione d'esercizio più elevata o una maggiore durata alla stessa temperatura di giunzione d'esercizio. Inoltre, si ottiene un miglioramento del 20% nell'area operativa sicura (SOA). Questa nuova caratteristica del contenitore è perfetta per applicazioni quali telecomunicazioni, azionamenti per motori e server.
Bassa resistenza RDS(on)
Ottimizzato per la rettifica sincrona
Maggiore capacità di 175 °C in SuperSO8
Maggiore durata
Massima efficienza e densità di potenza
Massima affidabilità del sistema
Robustezza termica
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