MOSFET Infineon, canale N 40 V, 1.4 mΩ Miglioramento, 120 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie IAUZ40N06S5L050ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
249-8631
Codice costruttore:
IAUZ40N06S5L050ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

120A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IAUC

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

81W

Tensione diretta Vf

1.3V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET per uso automobilistico Infineon 60V, N-CH, 5 mohm, con tecnologia OptiMOS 5 per MOSFET 60V nel contenitore standard industriale con ingombro ridotto S3O8 3 mm x 3 mm con prestazioni leader del settore che fornisce una bassa capacità RDSon, QG e gate e riduce al minimo le perdite di conduzione e commutazione.

MOSFET di potenza OptiMOS per applicazioni automobilistiche

Canale N, modalità potenziata, livello logico

Qualifica estesa oltre AEC-Q101

Test elettrici migliorati

Struttura robusta

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Prodotto non inquinante (conformità RoHS)

Testato al 100% con effetto valanga

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