MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 7.8 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

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Codice RS:
145-9665
Codice costruttore:
BSZ050N03LSGATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

OptiMOS 3

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

7.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

26nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

3.4 mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Paese di origine:
CN

MOSFET di potenza OptiMOS™3 Infineon, fino a 40 V


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