MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 1.45 mΩ Miglioramento, 176 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

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Codice RS:
214-8983
Codice costruttore:
BSZ014NE2LS5IFATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

176A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.45mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

16 V

Dissipazione di potenza massima Pd

69W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.6V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.2mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

6.1 mm

Lunghezza

5.35mm

Standard automobilistico

No

La gamma Infineon offre un'ampia e completa gamma di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e IRFET forte. Con la famiglia di prodotti OptiMOS-5 25V e 30V, Infineon offre soluzioni di benchmark che consentono la massima densità di potenza ed efficienza energetica, sia in standby che in pieno funzionamento. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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