MOSFET Infineon, canale N 25 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Codice RS:: 165-5979
Codice costruttore:: BSZ060NE2LSATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 25 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

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Codice RS:: 165-5979
Codice costruttore:: BSZ060NE2LSATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	25V
	Serie	OptiMOS
	Tipo di package	TSDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	8.1mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	9.1nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Tensione diretta Vf	870mV
	Dissipazione di potenza massima Pd	26W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Lunghezza	3.4mm
	Altezza	1.1mm
	Larghezza	3.4mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V
	Serie OptiMOS
	Tipo di package TSDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 8.1mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9.1nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Tensione diretta Vf 870mV
	Dissipazione di potenza massima Pd 26W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Lunghezza 3.4mm
	Altezza 1.1mm
	Larghezza 3.4mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Non applicabile

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 25 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ060NE2LSATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e la gestione della potenza in sistemi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni ad alta corrente in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una commutazione efficiente. Il dispositivo è fornito in un contenitore TSDSON a 8 pin adatto per assemblaggi densi e routing termico su layout PCB.

Caratteristiche e vantaggi:

• La bassissima resistenza di accensione di 8,1 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio nominale continua di 40 A supporta carichi ad alta corrente
• La dissipazione di potenza massima di 26 W consente una notevole gestione del calore
• La carica gate tipica di 9,1 nC consente prestazioni di commutazione efficienti
• La tensione diretta di 0,87 V riduce al minimo la caduta di tensione sotto carico
• La tolleranza di tensione gate-source fino a 20 V offre margini di azionamento flessibili

Applicazioni

• Adatto per gli stadi di potenza del convertitore buck sincrono
• Ideale per moduli regolatore CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con sistemi di distribuzione dell'alimentazione per server e telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica
• Adatto per le fasi di pre-driver dell'azionamento del motore

Quale gamma termica posso aspettarmi per l'implementazione?

Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.

In che modo il pacchetto favorisce l'integrazione del circuito stampato?

Il fattore di forma TSDSON fornisce un ingombro a basso profilo e montaggio superficiale che facilita il posizionamento ravvicinato dei componenti e la conduzione termica diretta al rame del circuito stampato.

Quali considerazioni sono necessarie per l'azionamento del gate?

Il transistor supporta tensioni gate-source fino a 20 V

utilizzare i driver gate che rimangono entro questo limite fornendo al contempo una carica sufficiente per una commutazione rapida.

Quanti pin sono disponibili per scopi di layout?

Sono presenti otto pin, che consentono collegamenti multipli per il drenaggio, la sorgente e l'instradamento del gate per ottimizzare i percorsi di corrente e le prestazioni termiche.