MOSFET Infineon, canale N 25 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ060NE2LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-5296
Codice costruttore:
BSZ060NE2LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.1nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20V, +20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Tensione diretta Vf

870mV

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.1mm

Larghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

MOSFET Infineon serie OptiMOS, tensione massima della sorgente di drenaggio di 25 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - BSZ060NE2LSATMA1


Questo MOSFET è un transistor a canale N a montaggio superficiale progettato per la commutazione e la gestione della potenza in sistemi elettronici compatti. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per applicazioni ad alta corrente in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una commutazione efficiente. Il dispositivo è fornito in un contenitore TSDSON a 8 pin adatto per assemblaggi densi e routing termico su layout PCB.

Caratteristiche e vantaggi:


• La bassissima resistenza di accensione di 8,1 mΩ riduce le perdite di conduzione
• La corrente di drenaggio nominale continua di 40 A supporta carichi ad alta corrente
• La dissipazione di potenza massima di 26 W consente una notevole gestione del calore
• La carica gate tipica di 9,1 nC consente prestazioni di commutazione efficienti
• La tensione diretta di 0,87 V riduce al minimo la caduta di tensione sotto carico
• La tolleranza di tensione gate-source fino a 20 V offre margini di azionamento flessibili

Applicazioni


• Adatto per gli stadi di potenza del convertitore buck sincrono
• Ideale per moduli regolatore CC-CC ad alta corrente
• Utilizzato con sistemi di distribuzione dell'alimentazione per server e telecomunicazioni
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e per i circuiti di ricarica
• Adatto per le fasi di pre-driver dell'azionamento del motore

Quale gamma termica posso aspettarmi per l'implementazione?


Il dispositivo è specificato per funzionare da -55 °C fino a 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con ampia variazione di temperatura.

In che modo il pacchetto favorisce l'integrazione del circuito stampato?


Il fattore di forma TSDSON fornisce un ingombro a basso profilo e montaggio superficiale che facilita il posizionamento ravvicinato dei componenti e la conduzione termica diretta al rame del circuito stampato.

Quali considerazioni sono necessarie per l'azionamento del gate?


Il transistor supporta tensioni gate-source fino a 20 V

utilizzare i driver gate che rimangono entro questo limite fornendo al contempo una carica sufficiente per una commutazione rapida.

Quanti pin sono disponibili per scopi di layout?


Sono presenti otto pin, che consentono collegamenti multipli per il drenaggio, la sorgente e l'instradamento del gate per ottimizzare i percorsi di corrente e le prestazioni termiche.

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