MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ060NE2LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-5296
Codice costruttore:
BSZ060NE2LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

TSDSON

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

0.87V

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.1nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Larghezza

3.4mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.4mm

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


I prodotti OptiMOS™ sono disponibili in pacchetti ad alte prestazioni per lavorare con la maggior parte delle applicazioni difficili poiché forniscono flessibilità in spazi ristretti. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

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