MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 8.1 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, TSDSON, Superficie BSZ060NE2LSATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
827-5296
Codice costruttore:
BSZ060NE2LSATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

TSDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

8.1mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

26W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.1nC

Tensione diretta Vf

0.87V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

3.4mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

3.4 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Non applicabile

Famiglia di MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™


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Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

Contenitore verde (senza piombo)

Rds(on) ultra bassa

Transistor MOSFET, Infineon


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