MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 2.3 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC0502NSIATMA1
- Codice RS:
- 214-8975
- Codice costruttore:
- BSC0502NSIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 15 unità*
13,245 €
(IVA esclusa)
16,155 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 14.970 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,883 € | 13,25 € |
| 75 - 135 | 0,839 € | 12,59 € |
| 150 - 360 | 0,804 € | 12,06 € |
| 375 - 735 | 0,768 € | 11,52 € |
| 750 + | 0,716 € | 10,74 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 214-8975
- Codice costruttore:
- BSC0502NSIATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 0.65V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 9nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 43W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 5.49mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 0.65V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 9nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 43W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 5.49mm | ||
Standard automobilistico No | ||
La gamma Infineon di prodotti OptiMOS è disponibile in contenitori ad alte prestazioni per affrontare le applicazioni più impegnative, offrendo la massima flessibilità in spazi limitati. Questi prodotti Infineon sono ideati per soddisfare e superare i requisiti di rendimento energetico e di densità di potenza degli altissimi standard di regolazione della prossima generazione nelle applicazioni informatiche.
Diodo integrato monolitico simile a Schottky
Ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni
Testato con effetto valanga al 100%
Link consigliati
- MOSFET Infineon 2.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 2.3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IAUCN08S7N019ATMA1
- MOSFET Infineon 125 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.05 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.5 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 1.4 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
