MOSFET Infineon, canale N 100 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

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Codice RS:
170-2316
Codice costruttore:
BSC035N10NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BSC035N10NS5

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

820mV

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

70nC

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.49mm

Larghezza

6.35mm

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon BSC035N10NS5 è il MOSFET di potenza 100V OptiMOS 5 ottimizzato per la rettifica sincrona e ideale per un'elevata frequenza di commutazione.

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Densità di potenza aumentata

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