MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC040N10NS5ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1973
Codice costruttore:
BSC040N10NS5ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

BSC040N10NS5

Tipo di package

TDSON

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.86V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

139W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

58nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

1.1mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

5.49mm

Standard automobilistico

No

Infineon BSC040N10NS5 è un MOSFET di potenza 100V OptiMOS 5 CON PEDAGGIO, ottimizzato per la rettifica sincrona e ideale per la commutazione ad alta frequenza di commutazione.

Massima efficienza del sistema

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Sono richiesti meno collegamenti in parallelo

Densità di potenza aumentata

Bassa sovratensione

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