MOSFET Infineon, canale N 100 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie BSC040N10NS5ATMA1
- Codice RS:
- 171-1973
- Codice costruttore:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-1973
- Codice costruttore:
- BSC040N10NS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 100A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | BSC040N10NS5 | |
| Tipo di package | TDSON | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5.6mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 860mV | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 58nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 139W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 1.1mm | |
| Lunghezza | 5.49mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.35mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 100A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie BSC040N10NS5 | ||
Tipo di package TDSON | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.6mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 860mV | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 139W | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 1.1mm | ||
Lunghezza 5.49mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.35mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSC040N10NS5, corrente di drenaggio continua massima di 100 A, tensione di sorgente di drenaggio massima di 100 V - BSC040N10NS5ATMA1
Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per stadi di potenza compatti a livello di scheda in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una notevole gestione della corrente. Il dispositivo viene fornito in un contenitore a basso profilo, senza piombo, adatto per l'assemblaggio automatizzato e la gestione termica.
Caratteristiche e vantaggi:
• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V supporta la commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 5.6 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 58 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• La dissipazione di potenza massima di 139 W consente un flusso di calore significativo
• La tolleranza gate-source di ±20 V garantisce un robusto headroom del gate drive
• Il valore nominale drain-source di 100 V supporta la commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 5.6 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 58 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• La dissipazione di potenza massima di 139 W consente un flusso di calore significativo
• La tolleranza gate-source di ±20 V garantisce un robusto headroom del gate drive
Applicazioni
• Adatto per convertitori CC-CC ad alta potenza nei sistemi industriali
• Ideale per gli stadi a mezzo ponte dell'inverter del motore su schede superficiali
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Utile nei moduli di alimentazione del server in cui la densità termica è importante
• Ideale per gli stadi a mezzo ponte dell'inverter del motore su schede superficiali
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Utile nei moduli di alimentazione del server in cui la densità termica è importante
Quali sono i limiti di funzionamento termico da prevedere?
Il dispositivo è specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e a temperatura elevata senza declassamento oltre le considerazioni tipiche sulla perdita di potenza.
In che modo il contenitore influisce sulla progettazione del circuito stampato per la rimozione del calore?
Il pacchetto TDSON a 8 pin senza piombo e il profilo da 1,1 mm consentono il posizionamento ravvicinato dei componenti, facilitando al contempo la conduzione termica nel rame e le vie termiche per una migliore dissipazione del calore.
Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono consigliate per una commutazione affidabile?
La tensione massima ammissibile gate-sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono essere limitati entro questo intervallo e tenere conto della carica gate tipica di 58 nC quando si dimensiona la corrente del driver per ottenere i tempi di transizione desiderati.
Come si comporta il dispositivo in termini di efficienza di conduzione?
Con una bassa resistenza in stato attivo di 5,6 mΩ e un'elevata capacità di corrente di drenaggio continua, riduce al minimo le perdite I2R durante la conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del sistema a correnti di carico consistenti.
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