MOSFET Infineon, canale N 100 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 170-2309
Codice costruttore:: BSC040N10NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 100 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

4225,00 €

(IVA esclusa)

5155,00 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

10.000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per bobina*
5000 +	0,845 €	4.225,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 170-2309
Codice costruttore:: BSC040N10NS5ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	TDSON
	Serie	BSC040N10NS5
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	5.6mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	860mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	58nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	139W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	6.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.49mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 100A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package TDSON
	Serie BSC040N10NS5
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5.6mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 860mV
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 58nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 139W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 6.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.49mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

MOSFET Infineon serie BSC040N10NS5, corrente di drenaggio continua massima di 100 A, tensione di sorgente di drenaggio massima di 100 V - BSC040N10NS5ATMA1

Questo MOSFET è un transistor di potenziamento a canale N ad alta corrente progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è progettato per stadi di potenza compatti a livello di scheda in cui sono richieste basse perdite di conduzione e una notevole gestione della corrente. Il dispositivo viene fornito in un contenitore a basso profilo, senza piombo, adatto per l'assemblaggio automatizzato e la gestione termica.

Caratteristiche e vantaggi:

• La corrente di drenaggio continua di 100 A consente la gestione di carichi pesanti
• Il valore nominale drain-source di 100 V supporta la commutazione ad alta tensione
• L'Rds(on) di 5.6 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento
• La carica di gate tipica di 58 nC consente una dinamica di commutazione controllata
• La dissipazione di potenza massima di 139 W consente un flusso di calore significativo
• La tolleranza gate-source di ±20 V garantisce un robusto headroom del gate drive

Applicazioni

• Adatto per convertitori CC-CC ad alta potenza nei sistemi industriali
• Ideale per gli stadi a mezzo ponte dell'inverter del motore su schede superficiali
• Utilizzato con sistemi di gestione della batteria che richiedono corrente elevata
• Può essere utilizzato per la rettifica sincrona negli alimentatori
• Utile nei moduli di alimentazione del server in cui la densità termica è importante

Quali sono i limiti di funzionamento termico da prevedere?

Il dispositivo è specificato per funzionare tra -55 °C e 150 °C, consentendo l'uso in ambienti con avviamento a freddo e a temperatura elevata senza declassamento oltre le considerazioni tipiche sulla perdita di potenza.

In che modo il contenitore influisce sulla progettazione del circuito stampato per la rimozione del calore?

Il pacchetto TDSON a 8 pin senza piombo e il profilo da 1,1 mm consentono il posizionamento ravvicinato dei componenti, facilitando al contempo la conduzione termica nel rame e le vie termiche per una migliore dissipazione del calore.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono consigliate per una commutazione affidabile?

La tensione massima ammissibile gate-sorgente è di 20 V, pertanto i driver gate devono essere limitati entro questo intervallo e tenere conto della carica gate tipica di 58 nC quando si dimensiona la corrente del driver per ottenere i tempi di transizione desiderati.

Come si comporta il dispositivo in termini di efficienza di conduzione?

Con una bassa resistenza in stato attivo di 5,6 mΩ e un'elevata capacità di corrente di drenaggio continua, riduce al minimo le perdite I2R durante la conduzione, migliorando l'efficienza complessiva del sistema a correnti di carico consistenti.