MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7495
Codice costruttore:: BSC070N10NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,802 €

(IVA esclusa)

0,978 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,802 €	4.010,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 178-7495
Codice costruttore:: BSC070N10NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

BSC070N10NS3 G OptiMOS 3 Power-Transistor

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	100 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	TDSON
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	8,6 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	156 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.35mm
Carica gate tipica @ Vgs	63 nC a 10 V
Lunghezza	6.1mm
Materiale del transistor	Si
Altezza	1.1mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 100 A, TDSON, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori

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