MOSFET Infineon, canale N 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 42 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Codice RS:: 165-6893
Codice costruttore:: BSC160N10NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 42 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Prezzo per 5000 unità, in una bobina da 5000*

2390,00 €

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*prezzo indicativo

Codice RS:: 165-6893
Codice costruttore:: BSC160N10NS3GATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	42A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Serie	OptiMOS 3
	Tipo di package	TDSON
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	33mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	19nC
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd	60W
	Temperatura massima di funzionamento	150°C
	Larghezza	6.35mm
	Standard/Approvazioni	No
	Lunghezza	5.35mm
	Altezza	1.1mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 42A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Serie OptiMOS 3
	Tipo di package TDSON
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 33mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1V
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 19nC
	Minima temperatura operativa -55°C
	Dissipazione di potenza massima Pd 60W
	Temperatura massima di funzionamento 150°C
	Larghezza 6.35mm
	Standard/Approvazioni No
	Lunghezza 5.35mm
	Altezza 1.1mm
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima di 42A, dissipazione di potenza massima di 60W - BSC160N10NS3GATMA1

Questo MOSFET è stato progettato per garantire efficienza e durata in un'ampia gamma di applicazioni. Si tratta di un componente fondamentale nei sistemi di gestione dell'energia, che eccelle nelle applicazioni di commutazione, rendendolo adatto ai settori dell'automazione e dell'elettricità. Le sue caratteristiche, tra cui un'elevata corrente di drenaggio continua e una bassa resistenza allo stato di accensione, ottimizzano le prestazioni in vari ambienti, garantendo robustezza ed efficienza.

Caratteristiche e vantaggi

• Supporta una corrente di drenaggio continua di 42A per attività ad alta potenza

• Funziona con una tensione massima di drenaggio-sorgente di 100 V per un ampio uso applicativo

• Presenta una bassa resistenza di stato di 33mΩ, migliorando l'efficienza energetica

• Progettato con una configurazione a montaggio superficiale per una semplice integrazione del circuito

• Funziona in ambienti ad alta temperatura, fino a +150°C

• Utilizza una configurazione a singolo canale N per una maggiore stabilità

Applicazioni

• Impiegato negli alimentatori e nei convertitori per un'efficace gestione dell'energia

• Adatto per che richiedono dispositivi di alimentazione compatti ed efficienti

• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per migliorare i tempi di risposta

• Ideale per i sistemi di telecomunicazione che necessitano di robuste capacità di alimentazione

• Comunemente applicato nei sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficiente dell'energia

Quali sono i limiti termici per il funzionamento di questo dispositivo?

Il dispositivo opera in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, adatto a varie condizioni ambientali.

In che modo la bassa resistenza di stato può giovare al mio progetto di circuito?

La bassa resistenza di stato riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza del circuito e riducendo la generazione di calore.

Esiste un metodo di montaggio specifico richiesto per questo MOSFET?

Questo MOSFET presenta un design a montaggio superficiale che ne facilita l'integrazione nei circuiti stampati.

Questo MOSFET può essere utilizzato per applicazioni ad impulsi?

Sì, è in grado di gestire correnti pulsate fino a 168A, il che lo rende adatto ad applicazioni con carichi transitori.

Quali sono le caratteristiche di sicurezza da considerare durante l'installazione?

È importante gestire la tensione del gate-source all'interno dell'intervallo specificato da -20V a +20V per evitare danni, garantendo al contempo la conformità con i valori di resistenza termica per ottenere prestazioni ottimali.