MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 33 mΩ Miglioramento, 42 A, 8 Pin, TDSON, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*

2980,00 €

(IVA esclusa)

3635,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
5000 +0,596 €2.980,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
165-6893
Codice costruttore:
BSC160N10NS3GATMA1
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

42A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TDSON

Serie

OptiMOS 3

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

19nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

60W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

5.35mm

Altezza

1.1mm

Larghezza

6.35 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
CN

MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corrente di drenaggio continua massima di 42A, dissipazione di potenza massima di 60W - BSC160N10NS3GATMA1


Questo MOSFET è stato progettato per garantire efficienza e durata in un'ampia gamma di applicazioni. Si tratta di un componente fondamentale nei sistemi di gestione dell'energia, che eccelle nelle applicazioni di commutazione, rendendolo adatto ai settori dell'automazione e dell'elettricità. Le sue caratteristiche, tra cui un'elevata corrente di drenaggio continua e una bassa resistenza allo stato di accensione, ottimizzano le prestazioni in vari ambienti, garantendo robustezza ed efficienza.

Caratteristiche e vantaggi


• Supporta una corrente di drenaggio continua di 42A per attività ad alta potenza

• Funziona con una tensione massima di drenaggio-sorgente di 100 V per un ampio uso applicativo

• Presenta una bassa resistenza di stato di 33mΩ, migliorando l'efficienza energetica

• Progettato con una configurazione a montaggio superficiale per una semplice integrazione del circuito

• Funziona in ambienti ad alta temperatura, fino a +150°C

• Utilizza una configurazione a singolo canale N per una maggiore stabilità

Applicazioni


• Impiegato negli alimentatori e nei convertitori per un'efficace gestione dell'energia

• Adatto per che richiedono dispositivi di alimentazione compatti ed efficienti

• Utilizzato nei sistemi di controllo dei motori per migliorare i tempi di risposta

• Ideale per i sistemi di telecomunicazione che necessitano di robuste capacità di alimentazione

• Comunemente applicato nei sistemi di energia rinnovabile per una conversione efficiente dell'energia

Quali sono i limiti termici per il funzionamento di questo dispositivo?


Il dispositivo opera in un intervallo di temperatura compreso tra -55°C e +150°C, adatto a varie condizioni ambientali.

In che modo la bassa resistenza di stato può giovare al mio progetto di circuito?


La bassa resistenza di stato riduce la perdita di potenza durante il funzionamento, migliorando l'efficienza del circuito e riducendo la generazione di calore.

Esiste un metodo di montaggio specifico richiesto per questo MOSFET?


Questo MOSFET presenta un design a montaggio superficiale che ne facilita l'integrazione nei circuiti stampati.

Questo MOSFET può essere utilizzato per applicazioni ad impulsi?


Sì, è in grado di gestire correnti pulsate fino a 168A, il che lo rende adatto ad applicazioni con carichi transitori.

Quali sono le caratteristiche di sicurezza da considerare durante l'installazione?


È importante gestire la tensione del gate-source all'interno dell'intervallo specificato da -20V a +20V per evitare danni, garantendo al contempo la conformità con i valori di resistenza termica per ottenere prestazioni ottimali.

Link consigliati